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400-677-0098
關(guān)鍵詞：碳化硅涂層爐化學(xué)氣相沉積爐碳化硅沉積爐CVD/CVI系統(tǒng)
立式化學(xué)氣相沉積爐（SiC、BN）
立式化學(xué)氣相沉積爐（SiC、BN）
產(chǎn)品描述：
立式化學(xué)氣相沉積爐（SiC、BN）可用于材料的表面涂層、基體改性、復(fù)合材料制備等
應(yīng)用范圍：
外延片基座、晶體爐高溫耐材、熱彎模具、半導(dǎo)體坩堝、陶瓷基復(fù)合材料等

立式化學(xué)氣相沉積爐（SiC、BN）技術(shù)特征

采用先進(jìn)的控制技術(shù)，能精密控制MTS的流量和壓力，爐膛內(nèi)沉積氣流穩(wěn)定，壓力波動(dòng)范圍??；

全密閉沉積室，密封效果好，抗污染能力強(qiáng)；

多通道工藝氣路，流場(chǎng)均勻，無(wú)沉積死角，沉積效果好；

多級(jí)高效尾氣處理系統(tǒng)，能有效處理高腐蝕性尾氣、易燃易爆氣體、固體粉塵及低熔點(diǎn)粘性產(chǎn)物，環(huán)境友好；

可選配新設(shè)計(jì)的防腐蝕真空機(jī)組，持續(xù)工作時(shí)間長(zhǎng)，維修率極低；

使用工藝氣氛：真空/CH4/H2/N2/Ar/BCI3/NH3/MTS。

立式化學(xué)氣相沉積爐（SiC、BN）產(chǎn)品規(guī)格

參數(shù)\型號(hào)VCVD-0305-SICVCVD-0608-SICVCVD-0812-SICVCVD-1120-SICVCVD-1520-SIC
工作區(qū)尺寸D×H（mm） 300×500 600×800 800×1200 1100×2000 1500×2000
最高溫度（℃） 1500 1500 1500 1500 1500
溫度均勻性（℃） ±5 ±7.5 ±7.5 ±10 ±10
極限真空度（Pa） 1-100 1-100 1-100 1-100 1-100
壓升率（Pa/h） 0.67 0.67 0.67 0.67 0.67
加熱方式電阻電阻電阻電阻電阻

以上參數(shù)可根據(jù)工藝要求進(jìn)行調(diào)整，不作為驗(yàn)收依據(jù)，具體以技術(shù)方案和協(xié)議為準(zhǔn)。

立式化學(xué)氣相沉積爐（SiC、BN）配置選擇

結(jié)構(gòu)形式：臥式-單開(kāi)門/雙開(kāi)門；立式-上出料/下出料

爐門鎖緊方式：手動(dòng)/自動(dòng)

爐殼材質(zhì)：內(nèi)層不銹鋼/全不銹鋼

保溫材質(zhì)：碳?xì)?石墨氈/碳纖維固化氈/陶瓷纖維氈

加熱器、馬弗材質(zhì)：石墨/CFC/金屬

熱電偶：K/N/C/S分度號(hào)

真空泵：機(jī)械泵組/耐腐蝕泵組

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碳基復(fù)合材料熱工裝備

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